Your Cart

г.Минск, ул. Прилукская 50 (ст. м. Михалово)
пн-пт: 09:00 — 17:30, +375 (17) 232-21-44, +375 (44) 773-45-11

Оперативная память DDR5 16GB 4800MHz Samsung ECC RDIMM (M321R2GA3BB6-CQK)

Артикул: 3225336

Part number (P/N): M321R2GA3BB6-CQK

1020,28 Br

Наличие уточняйте

Дополнительная информация

Тип памяти

Архитектура памяти

Объём

Частота

Латентность

Коррекция ошибок (ECC)

Напряжение питания

Ранговость

Оперативная память DDR5 16GB 4800MHz Samsung ECC RDIMM (M321R2GA3BB6-CQK) — это оригинальный модуль серверной оперативной памяти стандарта DDR5 ECC RDIMM объемом 16 ГБ от бренда Samsung (артикул M321R2GA3BB6-CQK). Планка функционирует на частоте 4800 МГц, снабжена функцией исправления ошибок ECC и оптимизирована для систем виртуализации начального уровня.

Основные

Производитель Samsung
Код производителя M321R2GA3BB6-CQK
Стандарт памяти DDR5 DIMM
Объём памяти 16 ГБ
Объём одного модуля 16 ГБ
Количество модулей в комплекте 1
Тактовая частота 4800 МГц
Пропускная способность 38400 МБ/с
Коррекция ошибок и буферизация RDIMM

Тайминги

CAS Latency (CL) 40
RAS to CAS Delay (tRCD) 40
Row Precharge Delay (tRP) 40

Дополнительно

Количество рангов 1
Напряжение питания 1.1 В
Сайт производителя www.samsung.com

Дополнительная информация

Тип памяти

Архитектура памяти

Объём

Частота

Латентность

Коррекция ошибок (ECC)

Напряжение питания

Ранговость

Бренд

Samsung

Оперативная память DDR5 16GB 4800MHz Samsung ECC RDIMM (M321R2GA3BB6-CQK) — это оригинальный модуль серверной оперативной памяти стандарта DDR5 ECC RDIMM объемом 16 ГБ от бренда Samsung (артикул M321R2GA3BB6-CQK). Планка функционирует на частоте 4800 МГц, снабжена функцией исправления ошибок ECC и оптимизирована для систем виртуализации начального уровня.

Основные

Производитель Samsung
Код производителя M321R2GA3BB6-CQK
Стандарт памяти DDR5 DIMM
Объём памяти 16 ГБ
Объём одного модуля 16 ГБ
Количество модулей в комплекте 1
Тактовая частота 4800 МГц
Пропускная способность 38400 МБ/с
Коррекция ошибок и буферизация RDIMM

Тайминги

CAS Latency (CL) 40
RAS to CAS Delay (tRCD) 40
Row Precharge Delay (tRP) 40

Дополнительно

Количество рангов 1
Напряжение питания 1.1 В
Сайт производителя www.samsung.com
Назад
Написать нам
Telegram
Заказать звонок

    Заполняя форму я подтверждаю согласие на обработку персональных данных

      Заполняя форму я подтверждаю согласие на обработку персональных данных

      Вход для пользователей