Your Cart

г.Минск, ул. Прилукская 50 (ст. м. Михалово)
пн-пт: 09:00 — 17:30, +375 (17) 232-21-44, +375 (44) 773-45-11

SSD накопитель Samsung 990 Pro 4TB M.2 NVMe Gen4 с радиатором (MZ-V9P4T0CW)

Артикул: 16060

2273,28 Br

Дополнительная информация

Тип устройства

Объём

Форм-фактор

M.2

Интерфейс

Разметка секторов

SSD накопитель Samsung 990 Pro 4TB M.2 NVMe Gen4 с радиатором (MZ-V9P4T0CW) — это ультимативно быстрый твердотельный накопитель колоссальной емкости 4 ТБ, функционирующий по передовому протоколу NVMe PCIe Gen4 x4. Модель формата M.2 2280 оборудована массивным фирменным радиатором охлаждения, который эффективно предотвращает температурный троттлинг при экстремальных нагрузках в игровых ПК и тяжелых рабочих станциях.

Общая информация

Дата выхода на рынок 2023 г.

Основные

Объём 4 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4  (NVMe 2.0)
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 2400 TBW

Технические характеристики

Кэш DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 4096 МБ
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 7 450 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 6 900 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 1 600 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 550 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 6.5 Вт  (режим Burst 8.6 Вт)
Энергопотребление (ожидание) 0.05 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 8.88 мм  (с радиатором)
Охлаждение Да
Подсветка Нет
Совместимость с PS5 Да

Комплектация

Вариант поставки розничная
Комплект поставки ПО Samsung Magician для управления SSD
Адаптер 3.5″ Нет

Дополнительная информация

Тип устройства

Объём

Форм-фактор

M.2

Интерфейс

Разметка секторов

Бренд

Samsung

SSD накопитель Samsung 990 Pro 4TB M.2 NVMe Gen4 с радиатором (MZ-V9P4T0CW) — это ультимативно быстрый твердотельный накопитель колоссальной емкости 4 ТБ, функционирующий по передовому протоколу NVMe PCIe Gen4 x4. Модель формата M.2 2280 оборудована массивным фирменным радиатором охлаждения, который эффективно предотвращает температурный троттлинг при экстремальных нагрузках в игровых ПК и тяжелых рабочих станциях.

Общая информация

Дата выхода на рынок 2023 г.

Основные

Объём 4 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4  (NVMe 2.0)
Тип микросхем Flash 3D TLC NAND
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 2400 TBW

Технические характеристики

Кэш DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера 4096 МБ
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 7 450 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 6 900 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 1 600 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 550 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 6.5 Вт  (режим Burst 8.6 Вт)
Энергопотребление (ожидание) 0.05 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 8.88 мм  (с радиатором)
Охлаждение Да
Подсветка Нет
Совместимость с PS5 Да

Комплектация

Вариант поставки розничная
Комплект поставки ПО Samsung Magician для управления SSD
Адаптер 3.5″ Нет
Назад
Написать нам
Telegram
Заказать звонок

    Заполняя форму я подтверждаю согласие на обработку персональных данных

      Заполняя форму я подтверждаю согласие на обработку персональных данных

      Вход для пользователей