Your Cart

г.Минск, ул. Прилукская 50 (ст. м. Михалово)
пн-пт: 09:00 — 17:30, +375 (17) 232-21-44, +375 (44) 773-45-11

SSD накопитель Samsung Enterprise PM9A3 1.92TB M.2 NVMe Gen4 Read Intensive (MZ1L21T9HCLS-00A07)

Артикул: 3205132

Part number (P/N): MZ1L21T9HCLS-00A07

2040,56 Br

Наличие уточняйте

Дополнительная информация

Тип устройства

Объём

Форм-фактор

M.2

Интерфейс

Разметка секторов

SSD накопитель Samsung Enterprise PM9A3 1.92TB M.2 NVMe Gen4 Read Intensive (MZ1L21T9HCLS-00A07) — это производительный серверный SSD емкостью 1.92 ТБ в форм-факторе M.2, функционирующий по скоростному протоколу NVMe PCIe Gen4 (артикул MZ1L21T9HCLS-00A07). Твердотельный модуль разработан под интенсивные нагрузки на чтение, демонстрируя стабильный отклик и защиту данных.

Основные

Производитель Samsung
Код производителя MZ1L21T9HCLS-00A07
Назначение внутренний
Тип SSD
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI-E 4.0 x4
Поддержка NVMe да
Объём накопителя 1920 ГБ
Тип флэш-памяти TLC
Контроллер Samsung Elpis (S4LV003)
Скорость чтения 5500 МБ/сек
Скорость записи 2000 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков 800000 IOPS
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков 85000 IOPS

Дополнительно

Ресурс перезаписи (TBW) 3504 ТБ
Время наработки на отказ 2000000 ч
Дополнительная информация M.2 22110
Сайт производителя www.samsung.com

Дополнительная информация

Тип устройства

Объём

Форм-фактор

M.2

Интерфейс

Разметка секторов

Бренд

Samsung

SSD накопитель Samsung Enterprise PM9A3 1.92TB M.2 NVMe Gen4 Read Intensive (MZ1L21T9HCLS-00A07) — это производительный серверный SSD емкостью 1.92 ТБ в форм-факторе M.2, функционирующий по скоростному протоколу NVMe PCIe Gen4 (артикул MZ1L21T9HCLS-00A07). Твердотельный модуль разработан под интенсивные нагрузки на чтение, демонстрируя стабильный отклик и защиту данных.

Основные

Производитель Samsung
Код производителя MZ1L21T9HCLS-00A07
Назначение внутренний
Тип SSD
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI-E 4.0 x4
Поддержка NVMe да
Объём накопителя 1920 ГБ
Тип флэш-памяти TLC
Контроллер Samsung Elpis (S4LV003)
Скорость чтения 5500 МБ/сек
Скорость записи 2000 МБ/сек
Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков 800000 IOPS
Скорость произвольной записи 4 КБ блоков 85000 IOPS

Дополнительно

Ресурс перезаписи (TBW) 3504 ТБ
Время наработки на отказ 2000000 ч
Дополнительная информация M.2 22110
Сайт производителя www.samsung.com
Назад
Написать нам
Telegram
Заказать звонок

    Заполняя форму я подтверждаю согласие на обработку персональных данных

      Заполняя форму я подтверждаю согласие на обработку персональных данных

      Вход для пользователей